QED234A4R0

功能描述:红外发射源 GaAs Infrared Emitting Diode

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

波长:880 nm

射束角:+/- 25

辐射强度:

最大工作温度:+ 100 C

最小工作温度:- 40 C

封装 / 箱体:Side Looker

封装:Bulk

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